BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0502NSIATMA1 por Infineon e IPD046N08N5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0502NSIATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,85 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Fichas técnicas e recursos

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