BSC0502NSIATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0502NSIATMA1 por Infineon y IPD046N08N5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0502NSIATMA1 IPD046N08N5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,85 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS™ 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 80V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 4.6 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 125 W
Rango de temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Encapsulado / Carcasa — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización