BSC066N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC066N06NSATMA1 von Infineon und BSC076N06NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC066N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1 (unlimited)
RoHS-Status Compliant —
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate N-Channel Trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
Halogenfrei — Yes (per Infineon product page)

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