BSC066N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC066N06NSATMA1 por Infineon e BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC066N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant —
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate N-Channel Trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
Livre de halogênio — Yes (per Infineon product page)

Fichas técnicas e recursos

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