BSC066N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC066N06NSATMA1 par Infineon et BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC066N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant —
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate N-Channel Trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
Sans halogène — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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