BSC066N06NSATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC066N06NSATMA1 por Infineon y BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC066N06NSATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant —
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate N-Channel Trench MOSFET
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
Sin halógenos — Yes (per Infineon product page)

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