BSC076N04NDATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC076N04NDATMA1 von Infineon und BSC074N15NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC076N04NDATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 trench
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gehäuse — SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

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