BSC076N04NDATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon および BSC074N15NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ 生産中
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BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC076N04NDATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $1.45
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 trench
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
パッケージ — SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

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