BSC076N04NDATMA1 vs BSC074N15NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon y BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC076N04NDATMA1 BSC074N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,45
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 5 trench
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 114 A
Power Dissition (PD) at TC=25°C — 214 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Encapsulado — SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Body Diode — Integrated

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