BSD235CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD235CH6327XTSA1 von Infineon und BSS127H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD235CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,03
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Pin-Anzahl 6 3
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Gehäuse — SOT-23-3 (PG-SOT23)
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21

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