BSD235CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSD235CH6327XTSA1 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSD235CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,03
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Statut RoHS Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Nombre de broches 6 3
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Boîtier — SOT-23-3 (PG-SOT23)
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21

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