BSD235CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon y BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSD235CH6327XTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,12 $0,03
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW (Ta)
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Estado RoHS Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Recuento de pines 6 3
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Encapsulado — SOT-23-3 (PG-SOT23)
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21

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