BSD235CH6327XTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSD235CH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | BSD235CH6327XTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.12 | $0.03 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | 500 mW (Ta) |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free) |
| MSL 레벨 | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| 핀 수 | 6 | 3 |
| FET Type | — | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (logic level, rated) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +150 C |
| 패키지 | — | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| 할로겐 프리 | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |