BSD235CH6327XTSA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSD235CH6327XTSA1 von Infineon und BSZ15DC02KDHXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSD235CH6327XTSA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Common drain (back-to-back source pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) 3.2 A
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS-Status Compliant (lead-free) —
MSL-Level 1 —
Pin-Anzahl 6 —
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
Transistortyp — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Gehäuse — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

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