BSD235CH6327XTSA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSD235CH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSZ15DC02KDHXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSD235CH6327XTSA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.12 $0.74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Common drain (back-to-back source pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) 3.2 A
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS 상태 Compliant (lead-free) —
MSL 레벨 1 —
핀 수 6 —
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
트랜지스터 유형 — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
패키지 — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

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