BSD235CH6327XTSA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSD235CH6327XTSA1 par Infineon et BSZ15DC02KDHXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSD235CH6327XTSA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Common drain (back-to-back source pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) 3.2 A
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Statut RoHS Compliant (lead-free) —
Niveau MSL 1 —
Nombre de broches 6 —
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
Type de transistor — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis