BSL606SNH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSL606SNH6327XTSA1 von Infineon und BTS3118NHUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSL606SNH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $0,62
Transistortyp N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS-Status Compliant (Pb-free plating) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Switch Type — Low-Side Power Switch
Ausgangskonfiguration — 1:1
Anzahl der Ausgänge — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
Betriebstemperatur — -40 C to +150 C junction
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Datenblätter & Ressourcen

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