BSL606SNH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSL606SNH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BTS3118NHUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BTS3118NHUMA1 BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSL606SNH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.19 $0.62
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
동작 온도 범위 -55C to +150C (Tj) —
패키지 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS 상태 Compliant (Pb-free plating) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Switch Type — Low-Side Power Switch
출력 구성 — 1:1
출력 수 — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
동작 온도 — -40 C to +150 C junction
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

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