BSL606SNH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon e BTS3118NHUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSL606SNH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,19 $0,62
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Encapsulamento PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Switch Type — Low-Side Power Switch
Configuração de saída — 1:1
Número de saídas — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
Temperatura de operação — -40 C to +150 C junction
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Fichas técnicas e recursos

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