BSL606SNH6327XTSA1 vs BTS3118NHUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSL606SNH6327XTSA1 par Infineon et BTS3118NHUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSL606SNH6327XTSA1 BTS3118NHUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,19 $0,62
Type de transistor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Boîtier PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Switch Type — Low-Side Power Switch
Configuration de sortie — 1:1
Nombre de sorties — 1
Continuous Drain Current — 2.17 A
Operating Voltage (Vbb) — 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C]
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible)
Input Protection — ESD protected
Thermal Protection — Thermal shutdown with latch
Fault Protection — Overload, short-circuit, overvoltage, current limit
Température de fonctionnement — -40 C to +150 C junction
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant
Process Technology — Smart SIPMOS (vertical N-channel)

Fiches techniques et ressources

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