BSP316PH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS192PH6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP316PH6327XTSA1 | BSS192PH6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] |
| Pin Sayısı | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 190 mA (Ta) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 1 W (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.8 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | — | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] |
| Vgs(th) (Max) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] |
| Vgs(th) (Typ) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per distributor listing) |
| Series | — | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
| Part Status | — | Active |