BSS123IXTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS123IXTSA1 von Infineon und BSS127H6327XTSA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS123IXTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,03
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 4.5 V (logic level, rated)
Gehäuse PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Pin-Anzahl — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS-Status — Compliant (lead-free)
Halogenfrei — Yes, per IEC 61249-2-21

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