BSS123IXTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS123IXTSA1 por Infineon y BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS123IXTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,03
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 4.5 V (logic level, rated)
Encapsulado PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Recuento de pines — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Estado RoHS — Compliant (lead-free)
Sin halógenos — Yes, per IEC 61249-2-21

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