BSS123IXTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS123IXTSA1 por Infineon e BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS123IXTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,03
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 4.5 V (logic level, rated)
Encapsulamento PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Contagem de pinos — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Status RoHS — Compliant (lead-free)
Livre de halogênio — Yes, per IEC 61249-2-21

Fichas técnicas e recursos

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