BSS123IXTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS123IXTSA1 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS123IXTSA1 BSS127H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,03
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS Small-Signal —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
RDS(on) (typical, VGS=10 V) 2.4 ohm —
RDS(on) (max per family datasheet) 6 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] 4.5 V (logic level, rated)
Boîtier PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (per family datasheet) —
Qualification Industrial —
Configuration Single N-Channel —
Lead-Free / RoHS Yes (per distributor listing) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level Logic-level compatible —
FET Type — N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Nombre de broches — 3
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Statut RoHS — Compliant (lead-free)
Sans halogène — Yes, per IEC 61249-2-21

Fiches techniques et ressources

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