BSS123IXTSA1 vs BSS127H6327XTSA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSS123IXTSA1 제조: Infineon 및 BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSS123IXTSA1 | BSS127H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.11 | $0.03 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS Small-Signal | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 190 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | — |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | 2.4 ohm | — |
| RDS(on) (max per family datasheet) | 6 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | 4.5 V (logic level, rated) |
| 패키지 | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (per family datasheet) | — |
| Qualification | Industrial | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per distributor listing) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive Logic Level | Logic-level compatible | — |
| FET Type | — | N-Channel SIPMOS, enhancement mode |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 21 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 500 ohm at ID = 21 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW (Ta) |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +150 C |
| 핀 수 | — | 3 |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS 상태 | — | Compliant (lead-free) |
| 할로겐 프리 | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |