BSS126H6327XTSA2 vs SS0530 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS126H6327XTSA2 von Infineon und SS0530 von Panjit. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS126H6327XTSA2 SS0530
Marke Infineon Panjit
Kategorie MOSFETs Diodes
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) SOD-123
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction, typical) —
Pin-Anzahl 3 —
Configuration Single Single
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free matte tin finish)
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Panjit International Inc.
Part Number — SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001)
Device Type — Schottky Barrier Diode
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum DC Blocking Voltage (VR) — 30 V
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 0.5 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 5.0 A
Forward Voltage Drop (Vf) — [DATA_NEEDED: Vf at rated IF]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet)
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C (typical)
Diode Family / Part Series — SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky)
Packaging — Tape and Reel (R1)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern