BSS126H6327XTSA2 vs SS0530 比較

詳細な並列比較: BSS126H6327XTSA2 メーカー: Infineon および SS0530 メーカー: Panjit。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 - 600V N-Ch Depletion MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS126H6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS126H6327XTSA2 SS0530
ブランド Infineon Panjit
カテゴリ MOSFETs Diodes
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.32 $0.03
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
パッケージ SOT-23-3 (PG-SOT23) SOD-123
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction, typical) —
ピン数 3 —
Configuration Single Single
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free matte tin finish)
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes (Infineon 'green' package) —
Manufacturer — Panjit International Inc.
Part Number — SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001)
Device Type — Schottky Barrier Diode
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Maximum DC Blocking Voltage (VR) — 30 V
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 0.5 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) — 5.0 A
Forward Voltage Drop (Vf) — [DATA_NEEDED: Vf at rated IF]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
動作接合温度範囲 — -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet)
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C (typical)
Diode Family / Part Series — SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky)
Packaging — Tape and Reel (R1)

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