BSS127H6327XTSA2 vs BSO613SPVGXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS127H6327XTSA2 von Infineon und BSO613SPVGXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS127H6327XTSA2 BSO613SPVGXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,03 $0,98
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 8 (6 active, 2 thermal/NC)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant
Halogenfrei Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Technology — OptiMOS (Trench)
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)

Datenblätter & Ressourcen

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