BSS127H6327XTSA2 vs BSO613SPVGXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS127H6327XTSA2 от Infineon и BSO613SPVGXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ Активен
Infineon
BSO613SPVGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1 - P-Ch 60V 3.44A MOSFET | Infineon | Load Switch

BSO613SPVGXUMA1 - P-Ch 60V 3.44A MOSFET | Infineon | Load Switch

BSO613SPVGXUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS127H6327XTSA2 BSO613SPVGXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,03 $0,98
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
Рабочая температура перехода -55 C to +150 C —
Корпус SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 8 (6 active, 2 thermal/NC)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Статус RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Без галогенов Yes, per IEC 61249-2-21 —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Technology — OptiMOS (Trench)
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену