BSS127H6327XTSA2 vs BSO613SPVGXUMA1 比較

詳細な並列比較: BSS127H6327XTSA2 メーカー: Infineon および BSO613SPVGXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS127H6327XTSA2 BSO613SPVGXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.98
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 8 (6 active, 2 thermal/NC)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant
ハロゲンフリー Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Technology — OptiMOS (Trench)
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)

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