BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon und BSL316CH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS308PEH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Transistortyp P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
Gehäuse / Bauform PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Gehäuse — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS low-voltage MOSFET
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Pin-Anzahl — 6
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

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