BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSL316CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS308PEH6327XTSA1 | BSL316CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,11 | $0,22 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | OptiMOS small-signal complementary MOSFET |
| Type de transistor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier / Format | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Configuration | — | Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) |
| Continuous Drain Current (N-channel ID) | — | 1.4 A |
| Continuous Drain Current (P-channel ID) | — | 1.5 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Boîtier | — | PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Technology | — | OptiMOS low-voltage MOSFET |
| Channel Type | — | N-channel + P-channel (dual) |
| Nombre de broches | — | 6 |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |