BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL316CH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS308PEH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.11 $0.22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) OptiMOS small-signal complementary MOSFET
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C —
パッケージ / ケース PG-SOT23 (SOT-23-3) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Configuration — Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
パッケージ — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Technology — OptiMOS low-voltage MOSFET
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
ピン数 — 6
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

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