BSS606NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS606NH6327XTSA1 von Infineon und BSS87H6327FTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS606NH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Gehäuse PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Pin-Anzahl — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

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