BSS606NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS606NH6327XTSA1 por Infineon e BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS606NH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
Encapsulamento PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Contagem de pinos — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Fichas técnicas e recursos

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