BSS606NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS606NH6327XTSA1 par Infineon et BSS87H6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS606NH6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Small Signal/Power | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.2 A (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | 1 W (Ta) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 60 mΩ max @ VGS=10 V | — |
| Boîtier | PG-SOT-89 (TO-243AA) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Qualification | Automotive (per family page) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (per SOT-89 family standard) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Reel Quantity | 1000 pcs | — |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |