BSS606NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 비교

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Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS606NH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.13 $0.18
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
패키지 PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
동작 접합 온도 -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
동작 온도 범위 — -55C to +150C (junction)
핀 수 — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

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