BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSS83PH6327XTSA1 von Infineon und BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSS83PH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 330 mA —
Pulsed Drain Current (IDM) 1.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 2.0 ohm (max) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -2.5 V (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 360 mW —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade per Infineon AEC-Q101 Automotive
Process Technology SIPMOS / OptiMOS —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Transistortyp — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C
Gehäuse / Bauform — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Anzahl der Pins — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

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