BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS83PH6327XTSA1 por Infineon y BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS83PH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 330 mA —
Pulsed Drain Current (IDM) 1.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 2.0 ohm (max) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -2.5 V (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 360 mW —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade per Infineon AEC-Q101 Automotive
Process Technology SIPMOS / OptiMOS —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Encapsulado / Carcasa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pines — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

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