BSS83PH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS83PH6327XTSA1 от Infineon и BSS308PEH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS83PH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,11 $0,11
FET Type P-Channel —
Technology MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 330 mA —
Pulsed Drain Current (IDM) 1.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 2.0 ohm (max) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -1 V to -2.5 V (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 360 mW —
Рабочая температура перехода -55 C to +150 C —
Корпус PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive grade per Infineon AEC-Q101 Automotive
Process Technology SIPMOS / OptiMOS —
Статус RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Тип транзистора — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +150 °C
Корпус / Типоразмер — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Количество выводов — 3
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену