BSZ018NE2LSIATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ018NE2LSIATMA1 von Infineon und IAUC90N10S5N062ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ018NE2LSIATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C —
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)

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