BSZ018NE2LSIATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ018NE2LSIATMA1 par Infineon et IAUC90N10S5N062ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ018NE2LSIATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis