BSZ018NE2LSIATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ018NE2LSIATMA1 por Infineon y IAUC90N10S5N062ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ018NE2LSIATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ018NE2LSIATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.8 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 69 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Infineon trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)

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