BSZ15DC02KDHXTMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSZ15DC02KDHXTMA1 von Infineon und BSD235CH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSZ15DC02KDHXTMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ15DC02KDHXTMA1 —
Transistortyp N-Channel + P-Channel (complementary pair) —
Technology OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch) OptiMOS™ low-voltage
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.2 A 530 mA (negative polarity)
N-Channel RDS(on) Max [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm] —
P-Channel RDS(on) Max 55 mOhm (per Infineon part summary) —
Gate Drive Level Super Logic level, 2.5 V rated —
Configuration Common drain (back-to-back source pair) N+P complementary dual MOSFET
Total Package Power Dissipation (PD) 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes / RoHS compliant —
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
RoHS-Status — Compliant (lead-free)
MSL-Level — 1
Pin-Anzahl — 6

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