BSZ15DC02KDHXTMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ15DC02KDHXTMA1 par Infineon et BSD235CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ15DC02KDHXTMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ15DC02KDHXTMA1 —
Type de transistor N-Channel + P-Channel (complementary pair) —
Technology OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch) OptiMOS™ low-voltage
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.2 A 530 mA (negative polarity)
N-Channel RDS(on) Max [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm] —
P-Channel RDS(on) Max 55 mOhm (per Infineon part summary) —
Gate Drive Level Super Logic level, 2.5 V rated —
Configuration Common drain (back-to-back source pair) N+P complementary dual MOSFET
Total Package Power Dissipation (PD) 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes / RoHS compliant —
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Statut RoHS — Compliant (lead-free)
Niveau MSL — 1
Nombre de broches — 6

Fiches techniques et ressources

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