BSZ15DC02KDHXTMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ15DC02KDHXTMA1 por Infineon e BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ15DC02KDHXTMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ15DC02KDHXTMA1 —
Tipo de transistor N-Channel + P-Channel (complementary pair) —
Technology OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch) OptiMOS™ low-voltage
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.2 A 530 mA (negative polarity)
N-Channel RDS(on) Max [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm] —
P-Channel RDS(on) Max 55 mOhm (per Infineon part summary) —
Gate Drive Level Super Logic level, 2.5 V rated —
Configuration Common drain (back-to-back source pair) N+P complementary dual MOSFET
Total Package Power Dissipation (PD) 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes / RoHS compliant —
Part Family — OptiMOS™
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Status RoHS — Compliant (lead-free)
Nível MSL — 1
Contagem de pinos — 6

Fichas técnicas e recursos

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