CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CSD19534Q5A von Texas Instruments und CSD18503Q5A von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter CSD19534Q5A CSD18503Q5A
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,85
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) NexFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Power Dissipation (Tc) 63 W 120 W
Gehäuse 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
MSL-Level 1-260C-UNLIM —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Pin-Anzahl 8 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate Charge — [DATA_NEEDED: Qg]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Anzahl der Pins — 8

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