CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CSD19534Q5A par Texas Instruments et CSD18503Q5A par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CSD19534Q5A CSD18503Q5A
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,85
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) NexFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Power Dissipation (Tc) 63 W 120 W
Boîtier 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Niveau MSL 1-260C-UNLIM —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nombre de broches 8 —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate Charge — [DATA_NEEDED: Qg]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

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