CSD19534Q5A vs CSD18503Q5A 비교
다음의 상세 나란히 비교: CSD19534Q5A 제조: Texas Instruments 및 CSD18503Q5A 제조: Texas Instruments. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Texas Instruments
CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments
CSD18503Q5A ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | CSD19534Q5A | CSD18503Q5A |
|---|---|---|
| 브랜드 | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.62 | $0.85 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | NexFET (Power MOSFET) | NexFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.2 W | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | 120 W |
| 패키지 | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad | 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| MSL 레벨 | 1-260C-UNLIM | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 핀 수 | 8 | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| Configuration | — | Single |
| Gate Charge | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| 핀 수 | — | 8 |